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IRF200P223

發布時間:2022/4/15 15:59:00 訪問次數:48發布企業:深圳市中意法電子科技有限公司

制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 11.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 102 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 313 W
通道模式: Enhancement
商標名: StrongIRFET
封裝: Tube

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