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位置:首頁 > IC型號導航 > 首字符K型號頁 > 首字符K的型號第42頁 > K4F661612D
工業溫度
K4F661612D , K4F641612D
4M X 16位CMOS動態RAM具有快速頁面模式
描述
這是一個家庭的4,194,304 ×16位的快速頁面模式的CMOS DRAM的??焖夙撃J教峁┝藘却娓咚匐S機存取
同一行內的細胞。刷新周期( 4K參考文獻或8K參考) ,訪問時間(-45 , -50或-60 ),功耗(普通或低用的電)
此系列的可選功能。所有這些家庭都有CAS -before - RAS刷新, RAS只刷新和隱藏刷新功能。
此外,自刷新操作是在L型版本。這4Mx16快速頁模式DRAM系列采用三星制造
′s
先進的CMOS工藝來實現高帶寬,低功耗和高可靠性。
CMOS DRAM
特點
?零件識別
- K4F661612D -TI / P ( 3.3V , 8K REF)
- K4F641612D -TI / P ( 3.3V , 4K REF)
?快速頁模式操作
? 2CAS字節/字的讀/寫操作
? CAS先于RAS的刷新功能
? RAS-只和隱藏刷新功能
?自刷新功能(L -版本只)
?快速并行測試模式功能
?
有源功率耗散
單位:毫瓦
速度
-45
-50
-60
8K
324
288
252
4K
468
432
396
? LVTTL ( 3.3V )兼容的輸入和輸出
?早期寫或輸出使能控制的寫
?? JEDEC標準引腳
?提供塑料TSOP ( II )包
? +3.3V
±0.3V
電源
?
工業溫度操作
( -40~85
°C
)
?
刷新周期
部分
K4F661612D*
K4F641612D
刷新
周期
8K
4K
刷新時間
正常
64ms
L-版本
128ms
RAS
UCAS
LCAS
W
控制
VCC
VSS
功能框圖
VBB發生器
刷新控制
刷新計數器
存儲陣列
4,194,304 x 16
細胞
桑斯ê上午PS & I / O
*訪問模式& RAS只刷新模式
: 8K周期/ 64ms的(普通) , 8K循環/ 128毫秒(L -VER )。
CAS -before - RAS &隱藏刷新模式
: 4K周期/ 64ms的(普通) , 4K周期/ 128毫秒(L -VER )。
刷新計時器
行解碼器
DATA IN
卜FF器
數據輸出
卜FF器
DATA IN
卜FF器
數據輸出
卜FF器
DQ0
to
DQ7
OE
e Q8
to
DQ15
?
性能范圍
速度
-45
-50
-60
t
RAC
45ns
50ns
60ns
t
CAC
12ns
13ns
15ns
t
RC
80ns
90ns
110ns
t
PC
31ns
35ns
40ns
A0~A12
(A0~A11)*1
A0~A8
(A0~A9)*1
行地址緩沖器
上校地址緩沖器
列解碼器
注) * 1: 4K刷新
三星電子有限公司
保留的權利
改變產品規格,恕不另行通知。
工業溫度
K4F661612D , K4F641612D
CMOS DRAM
引腳配置
(俯視圖)
?
K4F661612D-T
?
K4F641612D-T
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
V
CC
W
RAS
N.C
N.C
N.C
N.C
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
V
SS
LCAS
UCAS
OE
N.C
N.C
A12(N.C)*
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
( 400mil TSOP ( II ) )
* ( N.C ) : N.C為4K刷新產品
引腳名稱
A0 - A12
A0 - A11
DQ0 - 15
V
SS
RAS
UCAS
LCAS
W
OE
V
CC
N.C
引腳功能
地址輸入( 8K產品)
地址輸入( 4K產品)
IN / OUT數據
行地址選通
上部列地址選通
下列地址選通
讀/寫輸入
數據輸出使能
Power(+3.3V)
無連接
工業溫度
K4F661612D , K4F641612D
絕對最大額定值
參數
任何引腳相對于V電壓
SS
在V電壓
C C
供應相對于V
SS
儲存溫度
功耗
短路輸出電流
符號
V
IN,
V
O u那樣牛逼
V
CC
TSTG
P
D
I
OS
地址
等級
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-55到+150
1
50
單位
V
V
°C
W
mA
CMOS DRAM
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能出現*永久性設備損壞。功能操作應僅限于
條件詳見本數據表中的業務部門。暴露在絕對最大額定值條件下工作
期間可能會影響器件的可靠性。
推薦工作條件
參數
電源電壓
輸入高電壓
輸入低電壓
符號
V
C C
V
SS
V
I H
V
IL
3.0
0
2.0
-0.3
*2
(參考電壓到Vss ,T
A
= -40? 85 ℃)下
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
Vcc+0.3
*1
0.8
單位
V
V
V
V
* 1: Vcc的+ 1.3V的脈沖寬度
≤15ns
該測量V
CC
* 2 :在-1.3脈沖寬度
≤15ns
該測量V
SS
DC和工作特性
(推薦工作條件,除非另有說明。 )
參數
輸入漏電流(任何輸入0≤V
I N
≤V
CC
+0.3V,
所有其它引腳不能被測= 0伏)
輸出漏電流
(數據輸出被禁用, 0V≤V
OUT
≤V
CC
)
輸出高電壓電平(I
? ?
=-2mA)
輸出低電壓電平(I
OL
=2mA)
符號
I
I(L)
-5
最大
5
單位
uA
I
O( L)
V
? ?
V
OL
-5
2.4
-
5
-
0.4
uA
V
V
工業溫度
K4F661612D , K4F641612D
DC和工作特性
符號
動力
速度
-45
-50
-60
不在乎
-45
-50
-60
-45
-50
-60
不在乎
-45
-50
-60
不在乎
不在乎
CMOS DRAM
(續)
最大
K4F661612D
90
80
70
1
1
90
80
70
70
60
50
0.5
200
130
120
110
350
350
K4F641612D
130
120
110
1
1
130
120
110
70
60
50
0.5
200
130
120
110
350
350
單位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
mA
mA
mA
uA
uA
I
C C 1
不在乎
I
C C 2
正常
L
I
C C 3
不在乎
I
C C 4
不在乎
I
C C 5
正常
L
I
C C 6
I
C C 7
I
CCS
不在乎
L
L
I
C C 1
*:工作電流( RAS和UCAS , LCAS ,地址自行車@
t
R C
=分鐘)
I
C C 2
:待機電流( RAS = = UCAS LCAS = W = V
IH
)
I
C C 3
*: RAS只刷新電流( UCAS LCAS = = V
IH
, RAS ,地址自行車@
t
RC
=分鐘)
I
C C 4
*:快速頁模式電流( RAS = V
IL
, UCAS或LCAS ,地址自行車@
t
PC
=分鐘)
I
C C 5
:待機電流( RAS = = UCAS LCAS = W = V
CC
-0.2V)
I
C C 6
*: CAS先接后RAS刷新電流( RAS UCAS和LCAS或騎自行車@
t
R C
=分鐘)
I
C C 7
:電池后備電流,平均電源電流,電池備份模式
輸入高電壓(V
IH
)=V
C C
-0.2V ,低輸入電壓(V
IL
) = 0.2V , UCAS , LCAS = CAS -before - RAS騎自行車或0.2V ,
W, OE = V
IH
,地址=無關, DQ =打開,T
RC
=31.25us
I
? (C S)
:自刷新電流
RAS = = UCAS LCAS = 0.2V , W = OE = A0 ? A12 ( A11 ) = V
C C
-0.2V和0.2V , DQ0 ? DQ15 = V
CC
-0.2V , 0.2V或打開
*注意:
I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
CC6
依賴于輸出負載和循環率。指定的值與輸出開路獲得。
I
CC
被指定為一個平均電流。在我
C C 1
, I
CC3
CC6,
地址可以被改變最多一次,而RAS = V
IL
。在我
CC4
,
地址可以改變最大一次1快速頁面模式的周期時間內,
t
PC
.
工業溫度
K4F661612D , K4F641612D
電容
(T
A
= 25 ° C,V
CC
= 3.3V , F = 1MHz的)
參數
輸入電容[ A0 ? A12 ]
輸入電容[ RAS , UCAS , LCAS ,W , OE ]
輸出電容[ DQ0 - DQ15 ]
符號
C
I N 1
C
我N 2
C
DQ
-
-
-
最大
5
7
7
單位
pF
pF
pF
CMOS DRAM
AC特性
參數
隨機讀或寫周期時間
讀 - 修改 - 寫周期時間
從RAS訪問時間
從CAS訪問時間
(-40°C≤T
A
≤85°C,
見注2 )
-45
最大
90
133
45
12
23
0
0
1
25
45
12
45
12
18
13
5
0
8
0
8
23
0
0
0
8
8
13
12
0
10
10K
33
22
10K
13
50
0
0
1
30
50
13
50
13
20
15
5
0
10
0
10
25
0
0
0
10
10
15
13
0
10
10K
37
25
10K
13
50
50
13
25
0
0
1
40
60
15
60
15
20
15
5
0
10
0
10
30
0
0
0
10
10
15
15
0
10
10K
45
30
10K
13
50
-50
最大
110
153
60
15
30
-60
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
16
9,19
9,19
8
8
13
13
4
10
3,4,10
3,4,5
3,10
3
6
2
測試條件: V
CC
= 3.3V ± 0.3V , VIH /德維爾= 2.2 / 0.7V ,的Voh /卷= 2.0 / 0.8V
符號
單位
t
R C
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
? F F
t
T
t
; R P
t
中,R a
t
RSH
t
CSH
t
? A S
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
- [R A L
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
Wˉˉ P
t
RWL
t
CWL
t
e S
t
深高
80
115
從列地址訪問時間
CAS到輸出中低Z
輸出緩沖關斷延遲
轉換時間(上升和下降)
RAS預充電時間
RAS脈沖寬度
RAS保持時間
CAS保持時間
CAS脈沖寬度
RAS到CAS的延遲時間
RAS到列地址的延遲時間
CAS到RAS預充電時間
行地址建立時間
行地址保持時間
列地址建立時間
列地址保持時間
列地址到RAS交貨時間
讀命令設置時間
閱讀參考CAS命令保持時間
閱讀參考RAS命令保持時間
寫命令保持時間
WRITE命令的脈沖寬度
寫命令到RAS交貨期
寫命令到CAS交貨期
數據建立時間
數據保持時間
工業溫度
K4F661612D , K4F641612D
4M X 16位CMOS動態RAM具有快速頁面模式
描述
這是一個家庭的4,194,304 ×16位的快速頁面模式的CMOS DRAM的??焖夙撃J教峁┝藘却娓咚匐S機存取
同一行內的細胞。刷新周期( 4K參考文獻或8K參考) ,訪問時間(-45 , -50或-60 ),功耗(普通或低用的電)
此系列的可選功能。所有這些家庭都有CAS -before - RAS刷新, RAS只刷新和隱藏刷新功能。
此外,自刷新操作是在L型版本。這4Mx16快速頁模式DRAM系列采用三星制造
′s
先進的CMOS工藝來實現高帶寬,低功耗和高可靠性。
CMOS DRAM
特點
?零件識別
- K4F661612D -TI / P ( 3.3V , 8K REF)
- K4F641612D -TI / P ( 3.3V , 4K REF)
?快速頁模式操作
? 2CAS字節/字的讀/寫操作
? CAS先于RAS的刷新功能
? RAS-只和隱藏刷新功能
?自刷新功能(L -版本只)
?快速并行測試模式功能
?
有源功率耗散
單位:毫瓦
速度
-45
-50
-60
8K
324
288
252
4K
468
432
396
? LVTTL ( 3.3V )兼容的輸入和輸出
?早期寫或輸出使能控制的寫
?? JEDEC標準引腳
?提供塑料TSOP ( II )包
? +3.3V
±0.3V
電源
?
工業溫度操作
( -40~85
°C
)
?
刷新周期
部分
K4F661612D*
K4F641612D
刷新
周期
8K
4K
刷新時間
正常
64ms
L-版本
128ms
RAS
UCAS
LCAS
W
控制
VCC
VSS
功能框圖
VBB發生器
刷新控制
刷新計數器
存儲陣列
4,194,304 x 16
細胞
桑斯ê上午PS & I / O
*訪問模式& RAS只刷新模式
: 8K周期/ 64ms的(普通) , 8K循環/ 128毫秒(L -VER )。
CAS -before - RAS &隱藏刷新模式
: 4K周期/ 64ms的(普通) , 4K周期/ 128毫秒(L -VER )。
刷新計時器
行解碼器
DATA IN
卜FF器
數據輸出
卜FF器
DATA IN
卜FF器
數據輸出
卜FF器
DQ0
to
DQ7
OE
e Q8
to
DQ15
?
性能范圍
速度
-45
-50
-60
t
RAC
45ns
50ns
60ns
t
CAC
12ns
13ns
15ns
t
RC
80ns
90ns
110ns
t
PC
31ns
35ns
40ns
A0~A12
(A0~A11)*1
A0~A8
(A0~A9)*1
行地址緩沖器
上校地址緩沖器
列解碼器
注) * 1: 4K刷新
三星電子有限公司
保留的權利
改變產品規格,恕不另行通知。
工業溫度
K4F661612D , K4F641612D
CMOS DRAM
引腳配置
(俯視圖)
?
K4F661612D-T
?
K4F641612D-T
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
V
CC
W
RAS
N.C
N.C
N.C
N.C
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
V
SS
LCAS
UCAS
OE
N.C
N.C
A12(N.C)*
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
( 400mil TSOP ( II ) )
* ( N.C ) : N.C為4K刷新產品
引腳名稱
A0 - A12
A0 - A11
DQ0 - 15
V
SS
RAS
UCAS
LCAS
W
OE
V
CC
N.C
引腳功能
地址輸入( 8K產品)
地址輸入( 4K產品)
IN / OUT數據
行地址選通
上部列地址選通
下列地址選通
讀/寫輸入
數據輸出使能
Power(+3.3V)
無連接
工業溫度
K4F661612D , K4F641612D
絕對最大額定值
參數
任何引腳相對于V電壓
SS
在V電壓
C C
供應相對于V
SS
儲存溫度
功耗
短路輸出電流
符號
V
IN,
V
O u那樣牛逼
V
CC
TSTG
P
D
I
OS
地址
等級
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-55到+150
1
50
單位
V
V
°C
W
mA
CMOS DRAM
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能出現*永久性設備損壞。功能操作應僅限于
條件詳見本數據表中的業務部門。暴露在絕對最大額定值條件下工作
期間可能會影響器件的可靠性。
推薦工作條件
參數
電源電壓
輸入高電壓
輸入低電壓
符號
V
C C
V
SS
V
I H
V
IL
3.0
0
2.0
-0.3
*2
(參考電壓到Vss ,T
A
= -40? 85 ℃)下
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
Vcc+0.3
*1
0.8
單位
V
V
V
V
* 1: Vcc的+ 1.3V的脈沖寬度
≤15ns
該測量V
CC
* 2 :在-1.3脈沖寬度
≤15ns
該測量V
SS
DC和工作特性
(推薦工作條件,除非另有說明。 )
參數
輸入漏電流(任何輸入0≤V
I N
≤V
CC
+0.3V,
所有其它引腳不能被測= 0伏)
輸出漏電流
(數據輸出被禁用, 0V≤V
OUT
≤V
CC
)
輸出高電壓電平(I
? ?
=-2mA)
輸出低電壓電平(I
OL
=2mA)
符號
I
I(L)
-5
最大
5
單位
uA
I
O( L)
V
? ?
V
OL
-5
2.4
-
5
-
0.4
uA
V
V
工業溫度
K4F661612D , K4F641612D
DC和工作特性
符號
動力
速度
-45
-50
-60
不在乎
-45
-50
-60
-45
-50
-60
不在乎
-45
-50
-60
不在乎
不在乎
CMOS DRAM
(續)
最大
K4F661612D
90
80
70
1
1
90
80
70
70
60
50
0.5
200
130
120
110
350
350
K4F641612D
130
120
110
1
1
130
120
110
70
60
50
0.5
200
130
120
110
350
350
單位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
mA
mA
mA
uA
uA
I
C C 1
不在乎
I
C C 2
正常
L
I
C C 3
不在乎
I
C C 4
不在乎
I
C C 5
正常
L
I
C C 6
I
C C 7
I
CCS
不在乎
L
L
I
C C 1
*:工作電流( RAS和UCAS , LCAS ,地址自行車@
t
R C
=分鐘)
I
C C 2
:待機電流( RAS = = UCAS LCAS = W = V
IH
)
I
C C 3
*: RAS只刷新電流( UCAS LCAS = = V
IH
, RAS ,地址自行車@
t
RC
=分鐘)
I
C C 4
*:快速頁模式電流( RAS = V
IL
, UCAS或LCAS ,地址自行車@
t
PC
=分鐘)
I
C C 5
:待機電流( RAS = = UCAS LCAS = W = V
CC
-0.2V)
I
C C 6
*: CAS先接后RAS刷新電流( RAS UCAS和LCAS或騎自行車@
t
R C
=分鐘)
I
C C 7
:電池后備電流,平均電源電流,電池備份模式
輸入高電壓(V
IH
)=V
C C
-0.2V ,低輸入電壓(V
IL
) = 0.2V , UCAS , LCAS = CAS -before - RAS騎自行車或0.2V ,
W, OE = V
IH
,地址=無關, DQ =打開,T
RC
=31.25us
I
? (C S)
:自刷新電流
RAS = = UCAS LCAS = 0.2V , W = OE = A0 ? A12 ( A11 ) = V
C C
-0.2V和0.2V , DQ0 ? DQ15 = V
CC
-0.2V , 0.2V或打開
*注意:
I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
CC6
依賴于輸出負載和循環率。指定的值與輸出開路獲得。
I
CC
被指定為一個平均電流。在我
C C 1
, I
CC3
CC6,
地址可以被改變最多一次,而RAS = V
IL
。在我
CC4
,
地址可以改變最大一次1快速頁面模式的周期時間內,
t
PC
.
工業溫度
K4F661612D , K4F641612D
電容
(T
A
= 25 ° C,V
CC
= 3.3V , F = 1MHz的)
參數
輸入電容[ A0 ? A12 ]
輸入電容[ RAS , UCAS , LCAS ,W , OE ]
輸出電容[ DQ0 - DQ15 ]
符號
C
I N 1
C
我N 2
C
DQ
-
-
-
最大
5
7
7
單位
pF
pF
pF
CMOS DRAM
AC特性
參數
隨機讀或寫周期時間
讀 - 修改 - 寫周期時間
從RAS訪問時間
從CAS訪問時間
(-40°C≤T
A
≤85°C,
見注2 )
-45
最大
90
133
45
12
23
0
0
1
25
45
12
45
12
18
13
5
0
8
0
8
23
0
0
0
8
8
13
12
0
10
10K
33
22
10K
13
50
0
0
1
30
50
13
50
13
20
15
5
0
10
0
10
25
0
0
0
10
10
15
13
0
10
10K
37
25
10K
13
50
50
13
25
0
0
1
40
60
15
60
15
20
15
5
0
10
0
10
30
0
0
0
10
10
15
15
0
10
10K
45
30
10K
13
50
-50
最大
110
153
60
15
30
-60
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
16
9,19
9,19
8
8
13
13
4
10
3,4,10
3,4,5
3,10
3
6
2
測試條件: V
CC
= 3.3V ± 0.3V , VIH /德維爾= 2.2 / 0.7V ,的Voh /卷= 2.0 / 0.8V
符號
單位
t
R C
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
? F F
t
T
t
; R P
t
中,R a
t
RSH
t
CSH
t
? A S
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
- [R A L
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
Wˉˉ P
t
RWL
t
CWL
t
e S
t
深高
80
115
從列地址訪問時間
CAS到輸出中低Z
輸出緩沖關斷延遲
轉換時間(上升和下降)
RAS預充電時間
RAS脈沖寬度
RAS保持時間
CAS保持時間
CAS脈沖寬度
RAS到CAS的延遲時間
RAS到列地址的延遲時間
CAS到RAS預充電時間
行地址建立時間
行地址保持時間
列地址建立時間
列地址保持時間
列地址到RAS交貨時間
讀命令設置時間
閱讀參考CAS命令保持時間
閱讀參考RAS命令保持時間
寫命令保持時間
WRITE命令的脈沖寬度
寫命令到RAS交貨期
寫命令到CAS交貨期
數據建立時間
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