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位置:首頁 > IC型號導航 > 首字符K型號頁 > 首字符K的型號第42頁 > K4S280832A-TC/L80
K4S280832A
CMOS SDRAM
的128Mbit SDRAM
大4M x 8位×4銀行
同步DRAM
LVTTL
修訂版0.0
1999年8月
*三星電子保留隨時更改產品或規格,恕不另行通知。
修訂版0.0 1999年8月
K4S280832A
大4M x 8位×4銀行同步DRAM
特點
?
?
?
?
JEDEC標準的3.3V電源
LVTTL與復用地址兼容
四家銀行的操作
MRS周期與解決關鍵程序
- 。 CAS延遲時間( 2 & 3 )
- 。突發長度(1, 2,4, 8 &全頁)
- 。突發類型(順序&交錯)
所有的輸入進行采樣,該系統的正向邊沿
時鐘。
突發讀取單位寫操作
DQM用于屏蔽
自動&自我刷新
64ms的刷新周期( 4K周期)
CMOS SDRAM
概述
該K4S280832A是134217728位同步高速數據
率動態RAM組織為4× 4,194,304字×8位,
制造與三星的高性能CMOS技
術。同步設計允許與精確的周期控制
使用系統時鐘的I / O事務都可能在每個時鐘
周期。工作頻率范圍,可編程突發
長度和可編程延遲允許在同一個設備要
對于各種高帶寬是有用的,高性能的MEM
儲器系統的應用程序。
?
?
?
?
?
訂購信息
產品型號
K4S280832A-TC/L75
K4S280832A-TC/L80
K4S280832A-TC/L1H
K4S280832A-TC/L1L
K4S280832A-TC/L10
最大頻率。
133MHz(CL=3)
125MHz(CL=3)
100MHz(CL=2)
100MHz(CL=3)
66MHz的( CL = 2 &3 )
LVTTL
54
TSOP (II)的
接口封裝
功能框圖
I / O控制
LWE
LDQM
數據輸入寄存器
BANK SELECT
4M ×8
SENSE AMP
4M ×8
4M ×8
4M ×8
刷新計數器
輸出緩沖器
行解碼器
行緩沖區
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解碼器
上校緩沖區
延遲&突發長度
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
注冊時間
編程注冊
LWCBR
LDQM
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
*三星電子保留隨時更改產品或規格,恕不另行通知。
修訂版0.0 1999年8月
K4S280832A
引腳配置
( TOP VIEW )
V
DD
DQ0
V
DDQ
N.C
DQ1
V
SSQ
N.C
DQ2
V
DDQ
N.C
DQ3
V
SSQ
N.C
V
DD
N.C
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ7
V
SSQ
N.C
DQ6
V
DDQ
N.C
DQ5
V
SSQ
N.C
DQ4
V
DDQ
N.C
V
SS
N.C / RFU
DQM
CLK
CKE
N.C
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
CMOS SDRAM
54Pin TSOP (II)的
( 400mil X 875mil )
(0.8毫米針距)
引腳功能說明
CLK
CS
名字
系統時鐘
芯片選擇
輸入功能
活躍在正邊沿采樣所有輸入。
禁用或啟用的設備操作,除了用屏蔽或使所有輸入
CLK , CKE和DQM
面罩系統時鐘從下一個時鐘周期凍結操作。
CKE應該啟用的至少一個周期之前的新命令。
禁止輸入緩沖器的電源關閉待機。
行/列地址被復用在相同的針。
行地址: RA
0
? RA
11
,列地址: CA
0
? CA
9
選擇bank中的行地址鎖存器的時間被激活。
在列地址鎖存器時選擇的讀/寫的銀行。
鎖存器與RAS低CLK的正邊沿行地址。
讓行存取&預充電。
閂鎖與中科院低CLK的正邊沿列地址。
啟用列的訪問。
允許寫操作和行預充電。
鎖存來自中科院,我們開始積極的數據。
使得數據輸出高阻,T
SHZ
后的時鐘和掩模的輸出。
塊中的數據輸入時, DQM活躍。
數據輸入/輸出復用在相同的針。
電源和地的輸入緩沖器和核心邏輯。
對于輸出緩沖隔離電源和接地,以提供改進的噪音
免疫力。
該引腳建議留在設備上的連接。
CKE
時鐘使能
A
0
~ A
11
BA
0
? BA
1
RAS
CAS
WE
DQM
DQ
0
~
7
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
N.C / RFU
地址
銀行選擇地址
行地址選通
列地址選通
寫使能
數據輸入/輸出面膜
數據輸入/輸出
電源/接地
數據輸出電源/接地
無連接
/保留為將來使用
修訂版0.0 1999年8月
K4S280832A
絕對最大額定值
參數
任何引腳相對于VSS的電壓
在V電壓
DD
供應相對于VSS
儲存溫度
功耗
短路電流
符號
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英鎊
P
D
I
OS
價值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1
50
CMOS SDRAM
單位
V
V
°C
W
mA
注意:
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能會造成永久性損壞設備。
功能操作應僅限于推薦工作條件。
暴露于超過推薦的電壓較高的時間過長可能會影響器件的可靠性。
直流工作條件
推薦工作條件(電壓參考V
SS
= 0V ,T
A
= 0 ?70℃ )
參數
電源電壓
輸入邏輯高電壓
輸入邏輯低電壓
輸出邏輯高電平
輸出邏輯低電壓
輸入漏電流
符號
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
-
0.4
10
單位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
注意事項:
1. V
IH
(最大值) = 5.6V AC.The過沖電壓的持續時間是
3ns.
2. V
IL
(分鐘) = -2.0V交流。下沖電壓持續時間
3ns.
3.任何輸入0V
V
IN
V
DDQ
,
輸入漏電流包括高阻輸出漏所有雙向緩沖器,三態輸出。
電容
時鐘
(V
DD
= 3.3V ,T
A
= 23 ° C,F = 1MHz時, V
REF
=1.4V
±
200毫伏)
符號
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
2.5
2.5
2.5
4.0
最大
4.0
5.0
5.0
6.5
單位
pF
pF
pF
pF
1
2
2
3
RAS , CAS,WE , CS , CKE , DQM
地址
DQ
0
? DQ
7
注意事項:
1. -75唯一指定的3.5pF的最大值
2. -75只指定3.8pF的最大值
3. -75只指定6.0pF的最大值
修訂版0.0 1999年8月
K4S280832A
DC特性
(推薦的工作條件,除非另有說明,T
A
= 0 ?70℃ )
參數
對稱
BOL
突發長度= 1
t
RC
t
RC
(分鐘)
I
O
= 0毫安
CKE
V
IL
(最大值),叔
CC
= 10ns的
CKE & CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
CKE
V
IH
(分鐘) , CS
V
IH
(分鐘) ,T
CC
= 10ns的
輸入信號時為20ns一次改變
測試條件
-75
120
CMOS SDRAM
VERSION
-80
120
-1H
-1L
-10
單位
e
工作電流
(一銀行活動)
預充電待機電流在
掉電模式
I
CC1
I
CC2
P
I
CC2
PS
I
CC2
N
110 110 110
1
1
20
mA
1
mA
預充電待機電流在
非掉電模式
CKE
V
IH
(分鐘) , CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
I
CC2
NS
輸入信號是穩定的
I
CC3
P
I
CC3
PS
I
CC3
N
I
CC3
NS
CKE
V
IL
(最大值),叔
CC
= 10ns的
CKE & CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
CKE
V
IH
(分鐘) , CS
V
IH
(分鐘) ,T
CC
= 10ns的
輸入信號時為20ns一次改變
CKE
V
IH
(分鐘) , CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
輸入信號是穩定的
I
O
= 0毫安
第一陣
4Banks激活
t
CCD
= 2CLKs
t
RC
t
RC
(分鐘)
CKE
0.2V
C
L
mA
7
5
5
30
20
mA
mA
在活動待機電流
掉電模式
在活動待機電流
非掉電模式
(一銀行活動)
mA
工作電流
(突發模式)
刷新當前
自刷新電流
I
CC4
150
145
125 125 125
mA
1
I
CC5
I
CC6
220
220
210 210 210
1.5
800
mA
mA
uA
2
3
4
注意事項:
1.測量與產出開放。
2.刷新周期是64毫秒。
3. K4S280832A -TC **
4. K4S280832A -TL **
5.除非另有說明,輸入擺動IeveI是CMOS (Ⅴ
IH
/V
IL
=V
DDQ
/V
SSQ )
修訂版0.0 1999年8月
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