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位置:首頁 > IC型號導航 > 首字符K型號頁 > 首字符K的型號第42頁 > KMB7D0DN40QA
半導體
技術參數
概述
此刨床條紋MOSFET具有更好的特性,如快速
開關時間,低導通電阻,低柵極電荷和出色的雪崩
的特點。它主要適用于便攜式設備和開關電源。
D
KMB7D0DN40QA
雙N溝道溝槽MOSFET
H
T
P
G
L
特點
V
DSS
= 40V ,我
D
=7A.
漏極 - 源極導通電阻。
R
DS ( ON)
=25m
R
DS ( ON)
=45m
(最大) @V
GS
=10V
(最大) @V
GS
=4.5V
1
8
5
B1 B2
4
A
超級高密度電池設計
高功率和電流移交能力
暗淡
A
B1
B2
D
G
H
L
P
T
MILLIMETERS
_
4.85
+
0.2
_
3.94
+
0.2
_
0.3
6.02
+
_
0.4
+
0.1
0.15+0.1/-0.05
_
1.63
+
0.2
_
0.65
+
0.2
1.27
0.20+0.1/-0.05
最大額定值( TA = 25
特征
漏源電壓
門源電壓
除非另有說明)
符號
V
DSS
V
GSS
DC
I
D
*
I
DP
I
S
P
D
*
1.44
T
j
T
英鎊
R
thJA
*
-55~150
-55~150
62.5
/W
W
PATING
40
25
7
22
1.7
2
單位
V
V
A
A
A
W
FLP-8
漏電流
脈沖
(note1)
漏源二極管的正向電流
25
漏極功耗
100
最高結溫
存儲溫度范圍
熱阻,結到環境
引腳連接(頂視圖)
S1
G1
S2
G2
1
8
D1
D1
S2
D1
D1
D2
D2
S1
D2
D2
G2
G1
2
7
3
6
4
5
N溝道MOSFET
P溝道MOSFET
2007. 4. 3
版本號: 0
1/4
KMB7D0DN40QA
電氣特性( TA = 25
特征
STATIC
漏源擊穿電壓
排水截止電流
柵極漏電流
柵極閾值電壓
漏源導通電阻
通態漏電流
正向跨導
動態
(注3)
輸入Capaclitance
輸出繼電器容量
反向傳輸電容
總柵極電荷
柵極 - 源電荷
柵極 - 漏極電荷
開啟Delat時間
開啟上升時間
開啟Deley時間
開啟下降時間
源極 - 漏極二極管評級
源極 - 漏極的正向電壓
諾特
1.脈沖測試:脈沖寬度
10
,占空比
1%
V
SDF
I
DR
= 1.7A ,V
GS
=0V
-
0.78
1.2
V
C
國際空間站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=20V, V
GS
= 10V ,我
D
=6A
Q
g
V
DS
=20V, V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
Q
gs
V
DS
=20V, V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(關閉)
t
r
V
DD
=20V, V
GS
=10V
I
D
= 1A ,R
G
=3.3
(注1 )
-
-
-
-
-
3.3
16.7
3.6
28.7
10.1
5
19
5
ns
38
14
-
-
8.7
2.8
12
nC
4
V
DS
= 25V , F = 1MHz時, V
GS
= 0V
-
-
-
-
947
117
77
18.2
1231
152
100
24
pF
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
th
R
DS ( ON)
V
GS
= 4.5V ,我
D
=5A
I
D(上)
G
fs
V
DS
=5V, V
GS
=10A
V
DS
= 5V ,我
D
=6A
-
15
-
35
-
8
45
-
-
A
S
I
D
= 250 A,V
GS
=0V
V
DS
=32V, V
GS
=0V
V
GS
=
25V, V
DS
=0V
40
-
-
1
-
-
-
-
1.8
20
-
1
100
2.5
25
m
V
A
A
V
符號
) ,除非另有說明
測試條件
分鐘。
典型值。
馬克斯。
單位
V
DS
=V
GS ,
I
D
=250 A
V
GS
= 10.0V ,我
D
=6A
上電特性可以改變的,因為這些是暫定的規格。
圖中省略,因為這些是暫定的規格。
2007. 4. 3
版本號: 0
2/4
KMB7D0DN40QA
Fig1 。我
D
- V
DS
20
V
GS
=10,5,4.5V
Fig2 。 ?
DS ( ON)
- I
D
漏源極導通阻抗R
DS ( ON)
(?)
常見的來源
Tc=25
C
脈沖測試
0.2
0.16
0.12
0.08
漏電流I
D
(A)
16
12
8
4.0V
常見的來源
Tc=25
C
脈沖測試
3.5V
4.5V
4
V
GS
=3.0V
0.04
V
GS
=10.0V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
漏 - 源極電壓V
DS
(V)
漏 - 電流I
D
(A)
Fig3 。我
D
- V
GS
24
常見的來源
V
DS
=10V
脈沖測試
圖四。 ?
DS ( ON)
- T
j
200
常見的來源
V
DS
=10V
脈沖測試
漏電流I
D
(A)
20
16
12
8
4
0
歸漏源導
電阻R
DS ( ON)
(m?)
160
120
80
40
0
25
C
Tc=-55
C
125
C
I
D
=6A
1
2
3
4
5
-80
-40
0
40
80
120
160
門源Volatage V
GS
(V)
結溫Tj ( C)
Fig5 。 V
th
- T
j
柵極閾值電壓V
th
(V)
反向漏電流I
DR
(A)
5
常見的來源
V
GS
=V
DS
I
D
=250μA
4
脈沖測試
Fig6 。我
DR
- V
SDF
10
8
6
4
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
常見的來源
TC = 25℃
脈沖測試
3
2
1
0
-80
-40
0
40
80
120
160
結溫Tj ( C)
源 - 漏正向電壓V
SDF
(V)
2007. 4. 3
版本號: 0
3/4
KMB7D0DN40QA
圖7門充電電路和波形
VGS
10 V
肖特基
二極管
ID
0.5
VDSS
ID
1.0毫安
V
DS
VGS
Q
QGS
QGD
Qg
圖8阻性負載開關
RL
VDS
90%
0.5 VDSS
6?
VDS
10 V
VGS
10%
t
D(上)
t
D(關閉)
VGS
tr
t
on
t
f
t
關閉
2007. 4. 3
版本號: 0
4/4
半導體
標識特定網絡陽離子
KMB7D0DN40QA
FLP -8封裝
1.標記方法
激光打標。
2.標記
KMB7D0DN
40QA
2
1
701
3
設備名稱
PIN號
LOT號
記號
KMB7D0DN40QA
DOT
7
701
01
描述
KMB7D0DN40QA
銷1
YEAR
0~9 : 2000~2009
01 :1周
2007. 12. 6
版本號: 0
1/1
半導體
技術參數
概述
此溝道MOSFET具有更好的特性,如快速開關
時間,低導通電阻,低柵極電荷和出色的雪崩
的特點。它主要適用于電源管理PC ,便攜式
設備和電池供電系統。
KMB7D0DN40QA
雙N溝道溝槽MOSFET
H
T
D
P
G
L
特點
V
DSS
= 40V ,我
D
=7A.
漏極到源極導通電阻。
R
DS ( ON)
=25m
R
DS ( ON)
=45m
(最大) @V
GS
=10V
(最大) @V
GS
=4.5V
1
8
A
5
B1 B2
4
暗淡
A
B1
B2
D
G
H
L
P
T
MILLIMETERS
_
4.85
+
0.2
_
3.94
+
0.2
_
0.3
6.02
+
_
0.4
+
0.1
0.15+0.1/-0.05
_
1.63
+
0.2
_
0.65
+
0.2
1.27
0.20+0.1/-0.05
最大額定值( TA = 25
除非另有說明)
符號PATING單位
V
DSS
V
GSS
40
20
7
36
1.7
2
1.44
-55~150
-55~150
62.5
/W
V
V
A
A
A
W
W
特征
漏源極電壓
柵極至源極電壓
漏電流
T
a
=25
脈沖
漏源二極管的正向電流
漏極功耗
T
a
=25
T
a
=100
最高結溫
存儲溫度范圍
熱阻,結到環境
FLP-8
I
D
I
DP
I
S
P
D
T
j
T
英鎊
R
thJA
KMB7D0DN
40QA
注1 )表面安裝在1 “ 1 ” FR4板。 , t≤10sec
引腳連接(頂視圖)
S
1
G
1
S
2
G
2
1
8
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
2
7
3
6
4
5
2009. 9. 24
版本號: 2
1/5
KMB7D0DN40QA
電氣特性( TA = 25
特征
STATIC
漏源擊穿電壓
排水截止電流
門源漏電流
門源閾值電壓
漏極至源極導通電阻
通態漏電流
正向跨導
動態
輸入Capaclitance
輸出繼電器容量
反向傳輸電容
總柵極電荷
門源費
柵漏電荷
導通延遲時間
開啟上升時間
打開-O FF延遲時間
關斷下降時間
源極到漏極二極管評級
源極到漏極正向電壓
注2 )脈沖測試:脈沖寬度
10
V
SD
,占空比
I
S
= 1.7A ,V
GS
=0V
1%
-
0.78
1.2
V
C
國際空間站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(關閉)
t
f
V
DD
=20V, V
GS
=10V
I
D
= 1A ,R
G
=3.3
V
DS
=20V, V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
V
DS
= 20V , F = 1MHz時, V
GS
=0V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
954
201
82
11.6
2.8
2.2
16.7
3.6
28.7
10.1
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
-
-
nC
pF
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
th
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
fs
I
D
= 250 A,V
GS
=0V
V
DS
=32V, V
GS
=0V
V
GS
=
20V, V
DS
=0V
40
-
-
1
-
-
15
-
-
-
-
1.8
20
35
-
8
-
1
100
2.5
25
45
-
-
m
A
S
V
A
A
V
符號
) ,除非另有說明
測試條件
分鐘。
典型值。
馬克斯。
單位
V
DS
=V
GS ,
I
D
=250 A
V
GS
= 10V ,我
D
=6A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=5A
V
DS
=5V, V
GS
=10V
V
DS
=5V,
2009. 9. 24
版本號: 2
2/5
KMB7D0DN40QA
20
V
GS
=10V
漏極至源極導通阻抗R
DS ( ON)
(m?)
Fig1 。我
D
- V
DS
Fig2 。 ?
DS ( ON)
- I
D
50
40
30
V
GS
=10V
漏電流I
D
(A)
16
12
8
4.0V
V
GS
=4.5V
20
10
0
0
4
8
12
16
20
3.5V
4
V
GS
=3.0V
0
0
2
4
6
8
10
漏極至源極電壓V
DS
(V)
漏電流I
D
(A)
Fig3 。我
D
- V
GS
20
2.0
圖四。 ?
DS ( ON)
- T
j
漏電流I
D
(A)
16
12
25
C
歸漏源導
電阻R
DS ( ON)
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-75
-50
0
25
50
75
100 125 150 175
V
GS
= 4.5V ,我
D
=5A
V
GS
= 10V ,我
D
=6A
8
T
j
=-55
C
4
0
1
2
150
C
3
4
5
門源Volatage V
GS
(V)
結溫Tj ( C)
歸一化門源閾值電壓V
th
Fig5 。 V
th
- T
j
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
Fig6 。我
S
- V
SD
10
2
反向漏電流I
S
(A)
V
DS
=V
GS ,
I
D
=250μA
10
1
TJ = 150℃
TJ = 25℃
TJ = -55℃
10
0
10
-1
10
-2
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
結溫Tj ( C)
源極到漏極電壓V
SD
(V)
2009. 9. 24
版本號: 2
3/5
KMB7D0DN40QA
圖7. ? - V
DS
1500
10
圖8. V
GS
- 的Qg
柵極至源極電壓V
GS
(V)
f=1MHz
V
DS
= 20V ,我
D
= 6A
1200
8
6
4
2
0
0
3
6
9
12
15
電容(pF)
西塞
900
600
300
0
0
科斯
CRSS
10
20
30
40
漏極至源極電壓V
DS
(V)
柵極電荷Qg ( NC )
Fig9 。安全工作區
10
2
漏電流I
D
(A)
10
1
ON
100μs
M
LI
)
IT
1ms
10ms
100ms
10
0
R
D
S(
10
-1
10
-2
10
-2
V
GS
= 10V
單脈沖
T
j
= 25 C
DC
10
-1
10
0
10
1
10
2
漏極至源極電壓V
DS
(V)
Fig10 。瞬態熱響應曲線
10
1
歸一化有效
瞬態THER MAL性
1
0.5
0.2
0.1
10
-1
0.05
0.02
0.01
單身
10
-2
P
DM
t
1
t
2
R
θJA
= 71.9 C / W
10
-3
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
10
2
10
3
方波脈沖持續時間TW (秒)
2009. 9. 24
版本號: 2
4/5
KMB7D0DN40QA
圖7門充電電路和波形
VGS
10 V
肖特基
二極管
ID
0.5
VDSS
ID
1.0毫安
V
DS
VGS
Q
QGS
QGD
Qg
圖8阻性負載開關
RL
VDS
90%
0.5 VDSS
6?
VDS
10 V
VGS
10%
t
D(上)
tr
t
on
t
D(關閉)
VGS
t
f
t
關閉
2009. 9. 24
版本號: 2
5/5
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