雙芯片MicroCapacitance （MC）的
SIDACtor?
設備
RoHS指令
¨
1
(T)
3
(R)
2
(G)
這種兩芯片MicroCapacitance
的SIDACtor
設計提供了一個通孔技術
保護解決方案。其目的是為電信應用，不需要均衡
的解決方案。對于初級保護應用程序，設備具有更高的保持電流和
集成的故障保護選項。
的SIDACtor
設備使設備符合各項監管要求
包括GR 1089 ， ITU K.20 ， K.21和K.45 ， IEC 60950 ， UL 60950和TIA- 968 -A
（前身為FCC第68部分） 。
電氣參數
部分
號碼*
P0302AAMCL
P0602AAMCL
V
DRM
伏
6
25
V
DRM
伏
25
58
65
90
120
140
170
190
220
275
V
S
伏
25
40
V
S
伏
40
77
95
130
160
180
220
250
300
350
V
DRM
伏
12
50
V
DRM
伏
50
116
130
180
240
280
340
380
440
550
V
S
伏
50
80
V
S
伏
80
154
190
260
320
360
440
500
600
700
V
T
伏
4
4
I
DRM
μAMPS
5
5
I
S
毫安
800
800
I
T
安培
2.2
2.2
I
H
毫安
50
50
針腳1-2 ， 3-2
引腳1-3
部分
號碼*
P0602ACMCL
P1402ACMCL
P1602ACMCL
P2202ACMCL
P2702ACMCL
P3002ACMCL
P3602ACMCL
P4202ACMCL
P4802ACMCL
P6002ACMCL
針腳1-2 ， 3-2
引腳1-3
V
T
伏
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
I
DRM
μAMPS
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
I
S
毫安
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
I
T
安培
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
I
H
毫安
50
150
150
150
150
150
150
150
150
150
*
在部件編號“L”表示符合RoHS標準。
對于不符合RoHS標準的設備，從零件號刪除“ L” 。
對于浪涌額定值，請參閱下表。
一般注意事項：
?所有測量均在25℃的環境溫度下進行。我
PP
適用于-40°C至+ 85 °C溫度范圍。
? I
PP
是重復浪涌額定值，并且保證了產品的使用壽命。
?上市
的SIDACtor
器件是雙向的。所有電氣參數和浪涌額定值適用于正向和反向極性。
? V
DRM
的測量是在我
DRM 。
? V
S
的測量是在100伏/微秒。
?特殊電壓（V
S
和V
DRM
）和保持電流（I
H
）規定，可根據要求提供。
在安培的浪涌額定值
I
PP
系列
0.2x310 * 2x10 *
8x20 *
0.5x700 ** 2x10 ** 1.2x50 **
安培
A
20
安培
150
安培
150
400
10x160 *
10x160 **
安培
90
200
10x560 *
10x560 **
安培
50
150
5x320 *
9x720 **
安培
75
200
10x360 * 10x1000 * 5x310 *
I
TSM
10x360 ** 10x1000 ** 10x700 ** 60 /60 Hz的
安培
75
175
安培
45
100
安培
75
200
安培
20
50
的di / dt
安/微秒
500
500
C
50
500
*在微秒電流波形
**在μs的電壓波形
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? 2006年的Littelfuse ?電信設計指南
雙芯片MicroCapacitance （ MC ） SIDACtor?器件
散熱注意事項
包
改進
TO-220
符號
T
J
T
S
R
θJA
參數
工作結溫范圍
存儲溫度范圍
熱阻：結到環境
價值
-40到+150
-65到+150
50
單位
°C
°C
° C / W
銷1
銷2
3腳
電容值
pF
引腳1-2 / 3-2
提示地面，環地面
產品型號
P0302AAMCL
P0602AAMCL
P0602ACMCL
P1402ACMCL
P1602ACMCL
P2202ACMCL
P2702ACMCL
P3002ACMCL
P3602ACMCL
P4202ACMCL
P4802ACMCL
P6002ACMCL
民
25
15
25
40
35
45
40
35
35
30
30
30
最大
55
35
45
60
55
70
60
55
50
50
45
45
民
15
10
10
20
20
25
20
20
15
15
15
15
pF
針1-3
TIP- RING
最大
35
20
25
35
35
40
35
35
30
30
30
25
注：關態電容（C
O
）的測量是在1MHz以2V的偏壓。
電信設計指南?? 2006年的Littelfuse
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SIDACtor裝置
雙芯片MicroCapacitance （ MC ） SIDACtor?器件
+I
I
PP
- 峰值脈沖電流 - ％I
PP
t
r
=上升時間峰值
t
d
=衰減時間價值的一半
I
T
I
S
I
H
I
DRM
-V
V
T
V
DRM
V
S
+V
100
PEAK
價值
波形= T
r
x深
d
50
半值
0
0
t
r
t
d
噸 - 時間（μs ）
-I
的V-I特性
t
r
x深
d
脈沖波形
V的百分比
S
CHANGE - ％
10
I
H
(T
C
= 25 ?C)
14
12
8
6
4
2
0
-4
-6
-8
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
H
25 ?C
25 ?C
比
外殼溫度（T
C
) – ?C
結溫（T
J
) – ?C
歸V
S
改變與結溫
歸DC控股電流與外殼溫度
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