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雙芯片MicroCapacitance (MC)的
SIDACtor?
設備
RoHS指令
¨
1
(T)
3
(R)
2
(G)
這種兩芯片MicroCapacitance
的SIDACtor
設計提供了一個通孔技術
保護解決方案。其目的是為電信應用,不需要均衡
的解決方案。對于初級保護應用程序,設備具有更高的保持電流和
集成的故障保護選項。
的SIDACtor
設備使設備符合各項監管要求
包括GR 1089 , ITU K.20 , K.21和K.45 , IEC 60950 , UL 60950和TIA- 968 -A
(前身為FCC第68部分) 。
電氣參數
部分
號碼*
P0302AAMCL
P0602AAMCL
V
DRM
6
25
V
DRM
25
58
65
90
120
140
170
190
220
275
V
S
25
40
V
S
40
77
95
130
160
180
220
250
300
350
V
DRM
12
50
V
DRM
50
116
130
180
240
280
340
380
440
550
V
S
50
80
V
S
80
154
190
260
320
360
440
500
600
700
V
T
4
4
I
DRM
μAMPS
5
5
I
S
毫安
800
800
I
T
安培
2.2
2.2
I
H
毫安
50
50
針腳1-2 , 3-2
引腳1-3
部分
號碼*
P0602ACMCL
P1402ACMCL
P1602ACMCL
P2202ACMCL
P2702ACMCL
P3002ACMCL
P3602ACMCL
P4202ACMCL
P4802ACMCL
P6002ACMCL
針腳1-2 , 3-2
引腳1-3
V
T
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
I
DRM
μAMPS
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
I
S
毫安
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
I
T
安培
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
I
H
毫安
50
150
150
150
150
150
150
150
150
150
*
在部件編號“L”表示符合RoHS標準。
對于不符合RoHS標準的設備,從零件號刪除“ L” 。
對于浪涌額定值,請參閱下表。
一般注意事項:
?所有測量均在25℃的環境溫度下進行。我
PP
適用于-40°C至+ 85 °C溫度范圍。
? I
PP
是重復浪涌額定值,并且保證了產品的使用壽命。
?上市
的SIDACtor
器件是雙向的。所有電氣參數和浪涌額定值適用于正向和反向極性。
? V
DRM
的測量是在我
DRM 。
? V
S
的測量是在100伏/微秒。
?特殊電壓(V
S
和V
DRM
)和保持電流(I
H
)規定,可根據要求提供。
在安培的浪涌額定值
I
PP
系列
0.2x310 * 2x10 *
8x20 *
0.5x700 ** 2x10 ** 1.2x50 **
安培
A
20
安培
150
安培
150
400
10x160 *
10x160 **
安培
90
200
10x560 *
10x560 **
安培
50
150
5x320 *
9x720 **
安培
75
200
10x360 * 10x1000 * 5x310 *
I
TSM
10x360 ** 10x1000 ** 10x700 ** 60 /60 Hz的
安培
75
175
安培
45
100
安培
75
200
安培
20
50
的di / dt
安/微秒
500
500
C
50
500
*在微秒電流波形
**在μs的電壓波形
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3 - 48
? 2006年的Littelfuse ?電信設計指南
雙芯片MicroCapacitance ( MC ) SIDACtor?器件
散熱注意事項
改進
TO-220
符號
T
J
T
S
R
θJA
參數
工作結溫范圍
存儲溫度范圍
熱阻:結到環境
價值
-40到+150
-65到+150
50
單位
°C
°C
° C / W
銷1
銷2
3腳
電容值
pF
引腳1-2 / 3-2
提示地面,環地面
產品型號
P0302AAMCL
P0602AAMCL
P0602ACMCL
P1402ACMCL
P1602ACMCL
P2202ACMCL
P2702ACMCL
P3002ACMCL
P3602ACMCL
P4202ACMCL
P4802ACMCL
P6002ACMCL
25
15
25
40
35
45
40
35
35
30
30
30
最大
55
35
45
60
55
70
60
55
50
50
45
45
15
10
10
20
20
25
20
20
15
15
15
15
pF
針1-3
TIP- RING
最大
35
20
25
35
35
40
35
35
30
30
30
25
注:關態電容(C
O
)的測量是在1MHz以2V的偏壓。
電信設計指南?? 2006年的Littelfuse
3 - 49
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SIDACtor裝置
雙芯片MicroCapacitance ( MC ) SIDACtor?器件
+I
I
PP
- 峰值脈沖電流 - %I
PP
t
r
=上升時間峰值
t
d
=衰減時間價值的一半
I
T
I
S
I
H
I
DRM
-V
V
T
V
DRM
V
S
+V
100
PEAK
價值
波形= T
r
x深
d
50
半值
0
0
t
r
t
d
噸 - 時間(μs )
-I
的V-I特性
t
r
x深
d
脈沖波形
V的百分比
S
CHANGE - %
10
I
H
(T
C
= 25 ?C)
14
12
8
6
4
2
0
-4
-6
-8
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
H
25 ?C
25 ?C
外殼溫度(T
C
) – ?C
結溫(T
J
) – ?C
歸V
S
改變與結溫
歸DC控股電流與外殼溫度
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? 2006年的Littelfuse ?電信設計指南
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