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PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A
PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A
NPN通用放大器
?本設備是專為通用放大器
應用集電極電流300mA的電流。
?從工藝10采購。
1
TO-92
3
2
1
SOT-23
1. 2.發射基地3.收藏家
馬克: PN100 / PN100A
1.底座2.輻射源3.收藏家
馬克: N1 / N1A
絕對最大額定值*
T
C
= 25 ° C除非另有說明
符號
V
首席執行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英鎊
集電極 - 發射極電壓
集電極 - 基極電壓
發射極 - 基極電壓
集電極電流
結溫和存儲溫度
- 連續
參數
價值
45
75
6.0
500
-55 ~ +150
單位
V
V
V
mA
°C
*這些額定值的限制值高于其中任何半導體器件的適用性可能受到損害。
注意事項:
1.這些額定值是基于對150度C的最高結溫
2.這些都是穩定狀態的限制。廠方應征詢涉及脈沖或低占空比操作的應用程序。
電氣特性
T
C
= 25 ° C除非另有說明
符號
參數
測試條件
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 1mA時,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CB
= 60V
V
CE
= 40V
V
EB
= 4V
I
C
= 100μA ,V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 100mA時V
CE
= 1.0V*
I
C
= 150毫安,V
CE
= 5.0V *
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
集電極 - 發射極飽和電壓
基射極飽和電壓
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
=的200mA,我
B
= 20mA下
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
=的200mA,我
B
= 20mA下
V
CE
= 20V ,我
C
= 20mA下
V
CB
= 5.0V , F = 1.0MHz的
I
C
= 100μA ,V
CE
= 5.0V
R
G
= 2.0kΩ , F = 1.0KHz
100
100A
250
4.5
5.0
4.0
100
100A
100
100A
100
100A
80
240
100
300
100
100
100
分鐘。
75
45
6.0
50
50
50
馬克斯。
單位
V
V
V
nA
nA
nA
開關特性
BV
CBO
集電極 - 基極擊穿電壓
BV
首席執行官
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE
集電極 - 發射極擊穿電壓*
發射極 - 基極擊穿電壓
集電極 - 基極截止電流
集電極Emiitter截止電流
發射Cuto FF電流
直流電流增益
基本特征
450
600
350
0.2
0.4
0.85
1.0
V
V
V
V
兆赫
pF
dB
dB
小信號特性
f
T
C
敖包
NF
電流增益帶寬積
輸出電容
噪聲系數
*脈沖測試:脈沖寬度
300μS ,占空比
2.0%
?2002仙童半導體公司
修訂版B1 , 2006年8月
PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A
熱特性
T
A
= 25 ° C除非另有說明
馬克斯。
符號
P
D
R
θJC
R
θJA
參數
器件總功耗
減免上述25℃
熱阻,結到外殼
熱阻,結到環境
PN100
PN100A
625
5.0
83.3
200
357
*MMBT100
*MMBT100A
350
2.8
單位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*設備安裝在FR- 4 PCB板1.6 “
×
1.6”
×
0.06."
?2002仙童半導體公司
修訂版B1 , 2006年8月
PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A
典型特征
V
CESAT
- 集電極 - 發射極電壓( V)
h
FE
- 典型的脈沖電流增益
VS集電極電流
400
VCE = 5V
125 °C
電壓Vs集電極電流
0.4
β
= 10
0.3
25 °C
300
25 °C
200
- 40 °C
0.2
100
0.1
125 °C
- 40 °C
0
10
20 30
50
100
200 300
I
C
- 集電極電流(毫安)
500
1
10
100
I
C
- 集電極電流(毫安)
400
圖1.典型的脈沖電流增益
VS集電極電流
圖2.集電極 - 發射極飽和電壓
VS集電極電流
V
BESAT
- 集電極 - 發射極電壓( V)
V
BEON
- 基極發射極電壓( V)
基射極飽和
電壓Vs集電極電流
1
0.8
0.6
0.4
β
= 10
0.2
0.1
1
10
100
I
C
- 集電極電流(毫安)
300
- 40 °C
集電極電流
1
0.8
0.6
0.4
V
CE
= 5V
0.2
1
10
100
I
C
- 集電極電流(毫安)
500
- 40 °C
25 °C
125 °C
25 °C
125 °C
圖3.基射極飽和電壓
VS集電極電流
圖4.基射極電壓上
VS集電極電流
I
CBO
- COLLE CTOR電流( NA)
10
V
CB
= 60V
100
F = 1.0 MHz的
電容(pF)
10
興業銀行
COB
1
1
0.1
25
50
75
100
125
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE (
°
C)
150
0.1
0.1
1
10
V
ce
- 集電極電壓( V)
100
圖5.集電極截止電流
VS環境溫度
圖6.輸入和輸出電容
VS反Voltag
?2002仙童半導體公司
修訂版B1 , 2006年8月
PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A
典型特征
300
270
240
210
時間(納秒)
(續)
700
ts
P
D
- 功耗(MW )
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
溫度(
o
C)
125
150
SOT-23
TO-92
180
150
120
90
60
30
0
10
td
IB1 = IB2 = IC / 10
V
cc
= 10 V
tf
tr
20
30
50
100
200
I
C
- 集電極電流(毫安)
300
圖7.開關時間VS
集電極電流
圖8.功耗與
環境溫度
?2002仙童半導體公司
修訂版B1 , 2006年8月
PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A
包裝尺寸
TO-92
4.58
–0.15
+0.25
0.46
14.47
±0.40
±0.10
4.58
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
3.60
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
0.38
–0.05
+0.10
3.86MAX
1.02
±0.10
0.38
–0.05
+0.10
(R2.29)
(0.25)
單位:毫米
?2002仙童半導體公司
修訂版B1 , 2006年8月
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